Ultra-Wide Intermediate Bandwidth for High-Frequency SIS Mixers
Ultra-Wide Intermediate Bandwidth for High-Frequency SIS Mixers
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适用于高频 SIS 混频器的超宽中间带宽
DOI：
10.1109/tthz.2013.2296567
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发表时间：
2014
影响因子：
3.2
通讯作者：
Tan B
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tan B
我们提出了一种简单的方法来拓宽高频超导体-绝缘体-超导体（SIS）混频器的中频（IF）带宽。该方法仅需要一个具有单个 ~1 μm2 隧道结的混频器和一个采用标准印刷电路板技术制造的 IF 变压器，避免了需要串联多个非常小的隧道结或使用片上 IF 调谐电路的复杂性。该方法基于采用多级微带 IF 变压器将 SIS 混频器芯片的动态阻抗转换为宽 IF 带宽上的 50 Ω 输出。该方法假定结点电容适中 (75 fF/μm2)，对于高频 SIS 混频器特别有用。在本文中，我们将首先使用现有的 650 GHz SIS 混频器芯片设计作为说明来描述 IF 变压器的设计方法，然后介绍混频器的测量 IF 性能。
We present a simple method for widening the Intermediate frequency (IF) bandwidth of high frequency superconductor-insulator-superconductor (SIS) mixers. The method only requires a mixer with a single ~1 μ m2tunnel junction and an IF transformer fabricated with standard printed circuit board technology, avoiding the complexity of requiring several very small tunnel junctions in series or the use of on-chip IF tuning circuits. The method is based on employing a multi-stage microstrip IF transformer to transform the dynamic impedance of the SIS mixer chip to 50 Ω output over a wide IF bandwidth. This method assumes moderately high capacitance junction (75 fF/μm2), and is particularly useful for high frequency SIS mixers. In this paper, we shall first describe the design methodology of the IF transformer using an existing 650 GHz SIS mixer chip design as an illustration and then present the measured IF performance of the mixer.
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影响因子：
1.8
作者：
C. Tong;R. Blundell;K. Megerian;J. A. Stern;Shing-Kuo Pan;M. Pospieszalski
通讯作者：
C. Tong;R. Blundell;K. Megerian;J. A. Stern;Shing-Kuo Pan;M. Pospieszalski
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DOI：
--
发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
A. Kerr
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Tan B
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Tan B