Contact to contacts or silicide by use of backside FIB circuit edit allowing to approach every active circuit node
Contact to contacts or silicide by use of backside FIB circuit edit allowing to approach every active circuit node
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通过使用背面 FIB 电路编辑接触触点或硅化物，允许接近每个有源电路节点
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Boit
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Schlangen;P. Sadewater;U. Kerst;C. Boit
