シリコン中10原子空孔の電子状態
シリコン中10原子空孔の電子状態
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硅中10个空位的电子态
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
斎藤峯雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toru Akiyama;Tomoki Yamashita;Kohji Nakamura;Tomonori Ito;林建波;伊藤智徳;西田和永;伊藤智徳;伊藤智徳,伊藤巧,秋山亨,中村浩次;斎藤峯雄
