N.Shimada,Y.Fukumoto,M.Uemukai,T.Suhara,H.Nishihara: "Selective disordering of InGaAs strained quantum well by rapid thermal annealing with SiO_2 caps with different thickness for photonic integration"Jpn.J.Appl.Phys.. 39. 5914-5915 (2000)
N.Shimada,Y.Fukumoto,M.Uemukai,T.Suhara,H.Nishihara: "Selective disordering of InGaAs strained quantum well by rapid thermal annealing with SiO_2 caps with different thickness for photonic integration"Jpn.J.Appl.Phys.. 39. 5914-5915 (2000)
复制标题
N.Shimada，Y.Fukumoto，M.Uemukai，T.Suhara，H.Nishihara：“通过使用不同厚度的 SiO_2 帽快速热退火实现光子集成的 InGaAs 应变量子阱的选择性无序”Jpn.J.Appl.Phys。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
