Magnetoresistance in ferromagnetically contacted single-wall carbon nanotubes
Magnetoresistance in ferromagnetically contacted single-wall carbon nanotubes
复制标题
铁磁接触单壁碳纳米管中的磁阻
DOI：
10.1103/physrevb.72.035419
复制
发表时间：
2005
影响因子：
3.7
通讯作者：
P. Lindelof
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Jensen;J. Hauptmann;J. Nygård;P. Lindelof
我们提出了单壁碳纳米管器件的两端磁输运测量，其中一个或两个端子是铁磁性的。铁磁半导体 [(Ga,Mn)As] 和金属 (Fe) 接触材料都得到了研究。在这两种类型的器件中，我们都观察到低于 30 K 的强磁滞磁阻。磁阻特征在亚开尔文温度下发展成大的峰和谷，即使只有一个铁磁端子，它们也会存在。
We present two-terminal magnetotransport measurements on single-wall carbon nanotube devices, where one or two of the terminals are ferromagnetic. Both ferromagnetic semiconductor [(Ga,Mn)As] and metal (Fe) contact materials have been investigated. In both types of devices we have observed strong hysteretic magnetoresistance below 30 K. The magnetoresistance features develop into large peaks and dips at subkelvin temperatures and they are present even with only one ferromagnetic terminal.