Role of sidewall diffusion in GaAs nanowire growth: a first-principles study
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DOI：
10.1103/physrevb.86.085425
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发表时间：
2012-08
影响因子：
3.7
通讯作者：
V. Pankoke;S. Sakong;P. Kratzer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Pankoke;S. Sakong;P. Kratzer
