Impurity incorporation and Ga outdiffusion at n-GaN surfaces during high-temperature annealing processes
Impurity incorporation and Ga outdiffusion at n-GaN surfaces during high-temperature annealing processes
复制标题
高温退火过程中 n-GaN 表面的杂质掺入和 Ga 外扩散
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takshi Kimura and Tamotsu Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hidetomo Mukai;Kazuaki Hatsusaka and Kazuchika Ohta;Takshi Kimura and Tamotsu Hashizume
