High resolution X-ray photoelectron spectroscopy study on initial oxidation of 4H-SiC(0001)-(√3x√3)R30° surface
High resolution X-ray photoelectron spectroscopy study on initial oxidation of 4H-SiC(0001)-(√3x√3)R30° surface
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4H-SiC(0001)-(√3x√3)R30°表面初始氧化的高分辨率X射线光电子能谱研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Aruga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Takahashi;S. Hatta;A. Yoshigoe;Y. Teraoka;T. Aruga
