Electric field modulation of exciton recombination in InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3μm
Electric field modulation of exciton recombination in InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3μm
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1.3μm 发射波长的 InAs/GaAs 量子点中激子复合的电场调制
DOI：
10.1063/1.2947603
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发表时间：
2008
影响因子：
3.2
通讯作者：
N. Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Miyazawa;T. Nakaoka;Tatsuya Usuki;J. Tatebayashi;Y. Arakawa;S. Hirose;K. Takemoto;M. Takatsu;N. Yokoyama
发现改变施加到嵌入在p-i-n二极管中的InAs量子点的电场可以调制量子点中激子的辐射复合率。在量子点表面覆盖一层应变减小层，实现了1.3 μm的光电发射和大的激子态偶极矩。 通过测量不同外加电场下的量子限制斯塔克位移，研究了量子点中的激子态，并与用八带k-ε p模型计算的理论电子和空穴波函数进行了比较.当外加电场的绝对值从−82.4 kV/cm降低到0时，辐射复合速率从0.88 ns − 1增加到1.11 ns−1。 实验结果与计算结果的比较表明，辐射复合率的增加是由于电子和空穴之间的重叠积分的减少。InAs量子点的这些光学特性对于开发具有高灵敏度的光学器件尤为重要。
Changing the electric field applied to InAs quantum dots embedded in a p-i-n diode was found to modulate the radiative recombination rate of excitons in the dots. The quantum dots were capped with a strain-reducing layer to realize 1.3 μm photoemission and a large dipole moment to the exciton states. The exciton states in a quantum dot were investigated by measuring the quantum-confined Stark shift for various applied electric fields and were compared with the theoretical electron and hole wave functions calculated using an eight-band k⋅p model. When the absolute value of the applied electric field was reduced from −82.4 kV/cm to 0, the radiative recombination rate increased from 0.88 to 1.11 ns−1. Comparison of the experimental rate with the calculated one revealed that the increase in the radiative recombination rate was due to a decrease in the overlap integral between the electrons and holes. These optical characteristics of InAs quantum dots are especially important for developing optical devices tha...
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影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
电场中自组装量子点光致发光光谱中的声子共振
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
Phys. Rev. B 63・7
影响因子：
--
作者：
M.Ikezawa;K.Takemoto;LV.Ignatiev;K.Nishibayashi;Y.Masumoto;Y.Masumoto;Y.Masumoto;A.V.Fedorov;V.S.Dneprovskii;M.Sugisaki;I.A.Yugova;T.Okuno;A.V.Fedorov;Y.Masumoto;S.V.Nair;M.Sugisaki;A.V.Baranov;V.Davydov;V.Davydov;Y.Masumoto;K.Nishibayashi;M.Sugisaki;J.Zhao;I.V.Ignatiev
通讯作者：
I.V.Ignatiev
GaN/AlN 量子点中的非常规量子限制斯塔克效应
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
Phys.Rev.B 73
影响因子：
--
作者：
H.J.Krenner;E.C.Clark;T.Nakaoka et al.;T.Nakaoka et al.
通讯作者：
T.Nakaoka et al.
影响因子：
3.7
作者：
Malik, S;Le Ru, EC;Murray, R
通讯作者：
Murray, R