Dual Bias Modulation Electrostatic Force Microscopy on Cu(In, Ga)Se2
Dual Bias Modulation Electrostatic Force Microscopy on Cu(In, Ga)Se2
复制标题
Cu(In, Ga)Se2 的双偏压调制静电力显微镜
DOI：
10.1109/pvsc45281.2020.9300457
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Takuji Takahashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ryota Fukuzawa;T. Minemoto;Takuji Takahashi
我们对 Cu(In, Ga)Se2 [CIGS] 薄膜和去除 CdS 后的 CdS/CIGS 样品进行了双偏压调制静电力显微镜 (DEFM)，以局部检查 CIGS 表面附近的子带隙能级，并通过测量耗尽电容的频率响应来讨论 Cd 扩散对此类能级的影响。从偏压调制的低频或高频条件下 DEFM 获取的静电力信号中，我们发现作为电荷陷阱的深亚带隙能级尤其存在于生长的 CIGS 中的 GB 周围，但 CdS 沉积引起的 Cd 扩散钝化了如此深的能级。
We have performed dual bias modulation electrostatic force microscopy (DEFM) on a Cu(In, Ga)Se2 [CIGS] thin film and a CdS/CIGS sample after CdS removal to examine sub-bandgap levels near the CIGS surface locally and to discuss an influence of Cd diffusion on such levels by measuring of a frequency response of depletion capacitance. From electrostatic force signals acquired by DEFM under low or high frequency conditions for bias modulation, we found that deep sub-bandgap levels acting as charge traps existed especially around GB in the as-grown CIGS but that the Cd diffusion induced by CdS deposition passivated such deep levels.
Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池的光辅助开尔文探针力显微镜
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Takahashi;Y. Nakajima;M. Takihara;and T. Minemoto
通讯作者：
and T. Minemoto