プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの再活性化メカニズムの検討
プラズマ照射により不活性化されたn型GaN中ドナーの再活性化メカニズムの検討
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等离子体辐照失活的n型GaN中施主再激活机制的研究
DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
横山大樹,中村成志,奥村次徳
中科院分区:
文献类型:
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作者:
M.OMPRAKASH;V. NIRMAL KUMAR;M.ARIVANANDHAN;T.KOYAMA;Y.MOMOSE;H.IKEDA;H.TATSUOKA;Y.OKANO;T.OZAWA;Y.INATOMI;S.MOORTHY BABU and Y.HAYAKAWA;横山大樹,中村成志,奥村次徳