Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)
Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs)
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SiC 埋栅静电感应晶体管 (BG-SIT) 关断操作的三维分析
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Arai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Yano;Y.Tanaka;T.Yatsuo,A.Takatsuka;M.Okamoto;and K. Arai
