Chemical Analysis of Fluorine in Highly Reliable Oxide Thin Film Transistor with Silicon Nitride Gate Insulator
Chemical Analysis of Fluorine in Highly Reliable Oxide Thin Film Transistor with Silicon Nitride Gate Insulator
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氮化硅栅极绝缘体高可靠氧化物薄膜晶体管中氟的化学分析
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Haruka Yamazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Haruka Yamazaki;Yasuaki Ishikawa;Mami N. Fujii;Juan Paolo Bermundo;Eiji Takahashi;Yasuaki Andoh;and Yukiharu Uraoka;山﨑 はるか;Haruka Yamazaki;Haruka Yamazaki
