Y.Azuma, N.Usami et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature"J.Cryst.Growth. 250. 298-304 (2003)
Y.Azuma, N.Usami et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by utilizing feedback control system of the crystal-melt interface position for precise control of the growth temperature"J.Cryst.Growth. 250. 298-304 (2003)
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Y.Azuma、N.Usami 等人：“利用晶体-熔体界面位置的反馈控制系统精确控制生长温度，生长具有均匀成分的 SiGe 块状晶体”J.Cryst.Growth。
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