Characterization and modeling of RF substrate coupling effects in 3D integrated circuit stacking
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DOI：
10.1016/j.mee.2010.07.013
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发表时间：
2011-05
影响因子：
2.3
通讯作者：
E. Eid;T. Lacrevaz;C. Bermond;S. Capraro;J. Roullard;B. Fléchet;L. Cadix;A. Farcy;P. Ancey;F. Calmon;O. Valorge;P. Leduc
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
E. Eid;T. Lacrevaz;C. Bermond;S. Capraro;J. Roullard;B. Fléchet;L. Cadix;A. Farcy;P. Ancey;F. Calmon;O. Valorge;P. Leduc
