Si結晶中の高濃度δドーピング層Bi不純物のレーザアニール法を用いた光学的・電気的活性化
Si結晶中の高濃度δドーピング層Bi不純物のレーザアニール法を用いた光学的・電気的活性化
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激光退火法光电激活硅晶体中高浓度δ掺杂Bi杂质层
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
村田晃一,深津晋(5),三木一司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
仲田侑加;佐々木拓生;出来亮太;高橋正光;大川浩作・野村隆臣・西田綾子・新井亮一・阿部康次・塚田益裕・平林公男;村田晃一,深津晋(5),三木一司
