High‐Q MOS Varactor Models for Quasi‐ Millimeter‐Wave Low‐Nolse LC口VCOs
High‐Q MOS Varactor Models for Quasi‐ Millimeter‐Wave Low‐Nolse LC口VCOs
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用于准毫米波低噪声 LC 口 VCO 的高 Q MOS 变容二极管模型
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Nobuyuki Itoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuka Itano;Shotaro Morimoto;Sadayuki Yoshitomi;Nobuyuki Itoh
