積層型Siナノドットフローティングゲートメモリにおける充放電特性評価
積層型Siナノドットフローティングゲートメモリにおける充放電特性評価
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堆叠式硅纳米点浮栅存储器充放电特性评估
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
林司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
市川和典;P.Punchaipetch;矢野裕司;畑山智亮;浦岡行治;冬木隆;高橋英治;林司
