Maskless selective epitaxy of InxGa1−xAs using low-energy In0.15Ga0.85-FIB and As4 molecular beam
Maskless selective epitaxy of InxGa1−xAs using low-energy In0.15Ga0.85-FIB and As4 molecular beam
复制标题
使用低能 In0.15Ga0.85-FIB 和 As4 分子束进行 InxGa1−xAs 无掩模选择性外延
DOI：
10.1016/s0022-0248(98)01421-3
复制
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Pak
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. H. Cho;M. Hachiro;Y. Abe;K. Pak
