0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO 2 and Si substrate
0.6nm-EOT high-k gate stacks with HfSiOx interfacial layer grown by solid-phase reaction between HfO 2 and Si substrate
复制标题
0.6nm-EOT 高 k 栅堆叠，具有通过 HfO 2 和 Si 衬底之间的固相反应生长的 HfSiOx 界面层
DOI：
10.1016/j.mee.2007.04.005
复制
发表时间：
2007
影响因子：
2.3
通讯作者：
A. Toriumi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Ogawa;K. Iwamoto;H. Ota;Y. Morita;M. Ikeda;T. Nabatame;A. Toriumi
