Application of Arsenic Plasma Doping in Three-Dimensional MOS Transistors and the Doping Profile Evaluation
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复制标题
砷等离子体掺杂在三维MOS晶体管中的应用及掺杂分布评价
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Sunami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Kobayashi;T.Eto;K.Okuyama;K.Shibahara;H.Sunami
