Oxide Thickness Dependency on Threshold Voltage of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure
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AlGaN/GaN 异质结构上 GaN MOSFET 的氧化物厚度对阈值电压的依赖性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Qingpeng Wang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡田浩;秦貴幸;近藤正樹;若原昭浩;古川雄三;大島武‡佐藤真一郎;Qingpeng Wang
