変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導
変調ゲートを有するグラフェンFET素子の磁場中電気伝導
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具有调制门的石墨烯 FET 器件中磁场中的导电
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
内田和人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Igarashi;et al.;M. Naka and S. Ishihara;O.Kamishima;内田和人
