Direct Diameter-Controlled Growth of Multiwall Carbon Nanotubes on Nickel-Silicide Layer
Direct Diameter-Controlled Growth of Multiwall Carbon Nanotubes on Nickel-Silicide Layer
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多壁碳纳米管在硅化镍层上的直接直径控制生长
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Awano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Nihei;A. Kawabata;Y. Awano
利用等离子体增强化学气相沉积(p-CVD)技术，在硅化镍衬底上直接生长了垂直排列的多壁碳纳米管(CNTs)，并将其用作金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电极。通过使用硅化镍涂层作为催化剂，纳米管的直径变得比使用镍膜催化剂时更小。我们认为，镍硅化物的组成在控制纳米管直径方面起着重要作用。据我们所知，这是第一个关于在催化金属硅化物衬底上生长直径可控的垂直排列的碳纳米管的报道。
By using plasma-enhanced chemical vapor deposition (p-CVD), we grew vertically aligned multiwall carbon nanotubes (CNTs) directly on a nickel-silicide layer, which can be used as electrodes for metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). By using a nickel-silicide layer as a catalyst, the nanotube diameter became smaller than that possible with a nickel film catalyst. We suggest that Ni-silicide composition plays an important role in controlling the diameter of the nanotubes. To our knowledge, this is the first report on diameter-controlled vertically aligned CNT growth on catalytic metal-silicide substrates.