Growth of homogeneous mixed crystals of In0.3Ga0.7As by the traveling liquidus-zone method
Growth of homogeneous mixed crystals of In0.3Ga0.7As by the traveling liquidus-zone method
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移动液相线法生长In0.3Ga0.7As均质混晶
DOI：
10.1016/s0022-0248(01)02203-5
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发表时间：
2002
影响因子：
1.8
通讯作者：
Y. Muramatsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kinoshita;Y. Hanaue;Hirohiko Nakamura;S. Yoda;M. Iwai;T. Tsuru;Y. Muramatsu
