Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon sbstrates
Improved MOCVD growth of GaN on Si-on-porous-silicon sbstrates
复制标题
多孔硅衬底上硅的改进 MOCVD 生长
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Hara M.Nakanishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Ishikawa;K.Shimanaka;M.Azfar bin M.Amir;Y.Hara M.Nakanishi
