急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製
急速加熱液相エピタキシャル成長法による高Ge濃度SGOI構造の作製
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快速加热液相外延生长法制备高Ge浓度SGOI结构
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
荻原伸平、鈴木雄一朗、吉本千秋、細井卓治;志村考功;渡部平司
