Resistive Switching Memory Based on Ferroelectric Polarization Reversal at Schottky-like BiFeO3 Interfaces
Resistive Switching Memory Based on Ferroelectric Polarization Reversal at Schottky-like BiFeO3 Interfaces
复制标题
基于类肖特基 BiFeO3 接口铁电极化反转的电阻开关存储器
DOI：
10.1557/opl.2012.933
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and A. Sawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Tsurumaki-Fukuchi;H. Yamada;and A. Sawa
