Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures
Step-Controlled VPE Growth of SiC Single Crystals at Low Temperatures
复制标题
SiC 单晶低温阶跃控制 VPE 生长
DOI：
10.7567/ssdm.1987.c-4-2
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Matsunami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Naotaka Kuroda;K. Shibahara;W. Yoo;S. Nishino;H. Matsunami
