Study of SEU effects in circuits developed in 110 nm CMOS technology
Study of SEU effects in circuits developed in 110 nm CMOS technology
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研究采用 110 nm CMOS 技术开发的电路中的 SEU 效应
DOI：
10.22323/1.370.0126
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
F. Tommasino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Calvo;P. Remigis;M. Fisichella;R. Wheadon;A. Zambanini;S. Mattiazzo;E. Verroi;F. Tommasino
