Band Structure Engineering in C-doped Boron-Nitride Atomic-Layer Materials via Interlayer Interaction and Electron Correlation
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通过层间相互作用和电子关联进行碳掺杂氮化硼原子层材料的能带结构工程
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Haga and Y. Fujimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Saito;T. Haga and Y. Fujimoto
