Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction
Strain analysis of SiC and GaN surface regions using extremely asymmetric X-ray diffraction
复制标题
使用极不对称 X 射线衍射对 SiC 和 GaN 表面区域进行应变分析
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Akimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小野久美子・徳山尊大;金岡鐘局・青島貞人;K.Akimoto
