堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
堆積と熱酸化による4H-SiC MOS 構造の作製
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通过沉积和热氧化制备4H-SiC MOS结构
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大谷 篤志，八木 修平，土方 泰斗，矢口 裕之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Hijikata;S. Yagi;H. Yaguchi;and S. Yoshida;加藤 寿悠 ，八木 修平 ，土方 泰斗 ，矢口 裕之;大谷 篤志，八木 修平，土方 泰斗，矢口 裕之
