Analysis of USJ Formation with Combined RTA/Laser Annealing Conditions for 28nm High-K/Metal Gate CMOS Technology Using Advanced TCAD for Process and Device Simulation
Analysis of USJ Formation with Combined RTA/Laser Annealing Conditions for 28nm High-K/Metal Gate CMOS Technology Using Advanced TCAD for Process and Device Simulation
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使用先进的 TCAD 进行工艺和器件仿真，分析 28nm 高 K/金属栅 CMOS 技术的 USJ 形成以及结合 RTA/激光退火条件
DOI：
10.1016/j.sse.2013.01.023
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Horstmann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Bazizi;S. Pandey;C. Wang;I. Jiang;S. Chu;F. Benistant;T. Herrmann;J. Faul;D. Franke;M. Wiatr;M. Horstmann
