Demonstration of a silicon Raman laser
Demonstration of a silicon Raman laser
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DOI：
10.1364/opex.12.005269
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发表时间：
2004-10-18
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Jalali, B
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Boyraz, O;Jalali, B
我们报道了第一台硅拉曼激光器的演示。在实验上，使用硅波导作为增益介质，在1675 nm，25 MHz重复率的脉冲拉曼激光发射被证明。在峰值泵浦功率为9W时，激光器具有明显的阈值，斜率效率为8.5%。(C)2004年美国光学学会。
We report the demonstration of the first silicon Raman laser. Experimentally, pulsed Raman laser emission at 1675 nm with 25 MHz repetition rate is demonstrated using a silicon waveguide as the gain medium. The laser has a clear threshold at 9 W peak pump pulse power and a slope efficiency of 8.5%. (C) 2004 Optical Society of America.