Topological index‐calculation of DAEs in circuit simulation
Topological index‐calculation of DAEs in circuit simulation
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电路仿真中DAE的拓扑指数计算
DOI：
10.1002/zamm.199807815118
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Tischendorf
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Tischendorf
在电路仿真中，我们面临着高度非线性的DAE低平滑性能。它们可能有指数2，但它们不属于已被很好理解的Hessenberg形式系统类。如果电路模型满足某些自然假设，则经典的和电荷导向的修正分析会导致相同的DAE指数。
In electric circuit simulation we are confronted with highly nonlinear DAEs with low smoothness properties. They may have index 2 but they do not belong to the class of Hessenberg form systems that are well understood. The classic and the charge‐oriented modified analysis are shown to lead to the same DAE‐index if the circuit models satisfy some natural assumptions.