Control of nitrogen profile in radical nitridation of SiO_2 films

Control of nitrogen profile in radical nitridation of SiO_2 films
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SiO_2薄膜自由基氮化中氮分布的控制

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
the 2004 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
影响因子：
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通讯作者：
T.Ohmi
T.Ohmi
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
K.Kawase;H.Umeda;M.Inoue;S.Tsujikawa;A.Teramoto;T.Ohmi

文献摘要

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