H. Okada, H. Hasegawa: "Novel Single Electron Memory Device Using Metal Nano-Dots and Schottky In-Plane Gate Quantum Wire Transistors"Japanese Journal of Applied Physics. 40. 2797-2800 (2001)
H. Okada, H. Hasegawa: "Novel Single Electron Memory Device Using Metal Nano-Dots and Schottky In-Plane Gate Quantum Wire Transistors"Japanese Journal of Applied Physics. 40. 2797-2800 (2001)
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H. Okada、H. Hasekawa：“使用金属纳米点和肖特基平面栅极量子线晶体管的新型单电子存储器件”日本应用物理学杂志。
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