シングルイオン注入法を用いた単一ドーパント原子を有するトランジスタの作製と低温伝導特性評価
シングルイオン注入法を用いた単一ドーパント原子を有するトランジスタの作製と低温伝導特性評価
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使用单离子注入制造单掺杂原子晶体管并评估低温导电性能
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
品田賢宏
中科院分区：
文献类型：
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作者：
堀 匡寛;Enrico Prati;熊谷国憲;Filippo Guagliardo;Giorgio Ferrari;谷井孝至;小野行徳;品田賢宏
