Band alignment of AlN/beta-Ga2O3 heterojunction interface measured by x-ray photoelectron spectroscopy
Band alignment of AlN/beta-Ga2O3 heterojunction interface measured by x-ray photoelectron spectroscopy
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X 射线光电子能谱测量 AlN/β-Ga2O3 异质结界面的能带排列
DOI：
10.1063/1.5035372
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发表时间：
2018
影响因子：
4
通讯作者：
Zhang David Wei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chen Jin Xin;Tao Jia Jia;Ma Hong Ping;Zhang Hao;Feng Ji Jun;Liu Wen Jun;Xia Changtai;Lu Hong Liang;Zhang David Wei
