Electron and Hole Transfer in Anion-Bound Chemically Amplified Resists Used in ExtremeUltraviolet Lithography
Electron and Hole Transfer in Anion-Bound Chemically Amplified Resists Used in ExtremeUltraviolet Lithography
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用于极紫外光刻的阴离子结合化学放大抗蚀剂中的电子和空穴转移
DOI：
10.7567/apex.6.014001
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kozawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Komuro;H. Yamamoto;Y. Utsumi;K. Ohomori;and T. Kozawa
