SiでキャップされたGe, SiCナノドット構造の形成と光学特性の評価
SiでキャップされたGe, SiCナノドット構造の形成と光学特性の評価
复制标题
Si 覆盖的 Ge、SiC 纳米点结构的形成及光学性能评估
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
安井寛治
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
須藤晴紀;黒田朋義;加藤有行;西山洋;井上泰宣;赤羽正志;高田雅介;安井寛治
