Pulse quenching based RHBD technique for ASET mitigation on an operational amplifier in 28 nm bulk CMOS process
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DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
郭阳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
刘婧恬;徐新宇;孙乾;梁斌;陈建军;池雅庆;郭阳
