STL Technology
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盛泰科技
DOI：
10.1109/iedm.1979.189615
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发表时间：
1979
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
B. Sloan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Sloan
讨论了双极电路器件和工艺技术在肖特基晶体管逻辑器件制造中的应用。回顾了双肖特基屏障高度金属系统的特殊要求，并显示了STL的性能和密度，其最小特征范围从5 μ m到小于1.5 μ m，包括最小栅极延迟如下。5 nsec和功率延迟产品低于50飞焦。给出了用自动路由门阵列实现STL电路的一个示例。
The application of state-of-the-art bipolar I.C. device and process technologies to the fabrication of Schottky Transistor logic is discussed. The special requirements of a dual Schottky barrier-height metal system is reviewed and the performance and density of STL utilizing minimum features ranging from 5 µm to less than 1.5 µm is shown including minimum gate delays below .5 nsec and power-delay product below 50 femto-Joules. An example of an STL circuit implemented with an automatically routed gate array is shown.