Numerical simulation of drain-current transients and current compression in GaN MESFETs

Numerical simulation of drain-current transients and current compression in GaN MESFETs
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GaN MESFET 中漏极电流瞬态和电流压缩的数值模拟

DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
Proceedings of Nanotech 2006 Vol. 3
影响因子:
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通讯作者:
K.Horio
K.Horio
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
H.Takayanagi;K.Itagaki;K.Horio

文献摘要

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