4H-SiC钒离子注入层的特性

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DOI:
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发表时间:
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期刊:
半导体学报,27(增刊),120-123,2006年12月 ( EI )
影响因子:
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通讯作者:
张义门
张义门
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
王超*;张玉明;张义门

文献摘要

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