Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI
Room temperature direct bonding of single crystal diamond and Si substrates for the combination of diamond devices with Si LSI
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单晶金刚石与硅衬底的室温直接键合，用于金刚石器件与硅LSI的结合
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Naoteru Shigekawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jianbo Liang;Satoshi Masuya;Makoto Kasu;Manikant Singh;Michael J. Uren;Martin Kuball;and Naoteru Shigekawa
