Metal-insulator transition of the 1-D half-filled band metal (TTM-TTP)I3
Metal-insulator transition of the 1-D half-filled band metal (TTM-TTP)I3
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一维半填充带金属 (TTM-TTP)I3 的金属-绝缘体转变
DOI：
10.1016/s0379-6779(98)00470-6
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
4.4
通讯作者：
T. Yamabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Maesato;Y. Sasou;S. Kagoshima;Takehiko Mori;T. Kawamoto;Y. Misaki;T. Yamabe
