3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性
3C-SiC/Si基板上に作製したAlGaN/GaN/GaN:Cヘテロ構造のターンオン容量回復特性
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3C-SiC/Si 衬底上 AlGaN/GaN/GaN:C 异质结构的导通电容恢复特性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川村 啓介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中野 由崇;北原 功一;大内 澄人;生川 満久;川村 啓介
