Fundamentals of Non-Volatile Memories
Fundamentals of Non-Volatile Memories
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非易失性存储器的基础知识
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发表时间：
2014
期刊：
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通讯作者：
D. Richter
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Richter
本章的主题是介绍非易失性存储器的基本原理。概述了基于电子和非电子的单元，然后对高密度非易失性存储器的单元进行了评估。存储单元和存储器阵列的性能参数之间的联系进行了介绍，并深入分析了NAND和NOR阵列架构。针对浮栅和电荷捕获单元的闪存，介绍了感测和编程以及擦除算法技术的设计特定方面。
The subject of this chapter is to introduce the fundamentals of non-volatile memories. An overview about electron and non-electron based cells is given followed by a cell assessment for high density non-volatile memories. The link between memory cell and memory array performance parameters is introduced and in depth analysed for NAND and NOR array architectures. The design specific aspects of sensing and program and erase algorithm techniques are introduced for floating gate and charge trapping cell based flash memories.